Theory of a field-effect transistor based on a semiconductor nanocrystal array
نویسندگان
چکیده
منابع مشابه
Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET)
The IGFET or MOSFET is a voltage controlled field effect transistor that differs from a JFET in that it has a “Metal Oxide” Gate electrode which is electrically insulated from the main semiconductor n-channel or p-channel by a very thin layer of insulating material usually silicon dioxide, commonly known as glass. This ultra thin insulated metal gate electrode can be thought of as one plate of ...
متن کاملthe effect of a selfregulatory approach on the improvement of efl learners listening comprehension
تاثیر آموزش مهارت خود محوری بر روی ارتقاء مهارت شنیداری زبان آموزان هدف این پژوهش بررسی عوامل موثر در ارتقا مهارت شنیداری زبان آموزان ایرانی بود. در مرحله اول این تحقیق پژوهشگر پس از انجام مصاحبه نود زبان آموز را با استفاده از تست ایلتس انتخاب شدند. برای بررسی عوامل عوامل موثر در ارتقا مهارت شنیداری زبان آموزان ایرانی از دو نوع فیلم ویرایش شده و ویرایش نشده استفاده گردید.برای انجام تح...
the effect of consciousness raising (c-r) on the reduction of translational errors: a case study
در دوره های آموزش ترجمه استادان بیشتر سعی دارند دانشجویان را با انواع متون آشنا سازند، درحالی که کمتر به خطاهای مکرر آنان در متن ترجمه شده می پردازند. اهمیت تحقیق حاضر مبنی بر ارتکاب مکرر خطاهای ترجمانی حتی بعد از گذراندن دوره های تخصصی ترجمه از سوی دانشجویان است. هدف از آن تاکید بر خطاهای رایج میان دانشجویان مترجمی و کاهش این خطاها با افزایش آگاهی و هوشیاری دانشجویان از بروز آنها است.از آنجا ک...
15 صفحه اولA Computational Study on the Performance of Graphene Nanoribbon Field Effect Transistor
Despite the simplicity of the hexagonal graphene structure formed by carbon atoms, the electronic behavior shows fascinating properties, giving high expectation for the possible applications of graphene in the field. The Graphene Nano-Ribbon Field Effect Transistor (GNRFET) is an emerging technology that received much attention in recent years. In this paper, we investigate the device performan...
متن کاملfabrication of new ion sensitive field effect transistors (isfet) based on modification of junction-fet for analysis of hydronium, potassium and hydrazinium ions
a novel and ultra low cost isfet electrode and measurement system was designed for isfet application and detection of hydronium, hydrazinium and potassium ions. also, a measuring setup containing appropriate circuits, suitable analyzer (advantech board), de noise reduction elements, cooling system and pc was used for controlling the isfet electrode and various characteristic measurements. the t...
ذخیره در منابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ژورنال
عنوان ژورنال: Physical Review B
سال: 2014
ISSN: 1098-0121,1550-235X
DOI: 10.1103/physrevb.89.235303